品牌:JXW | 型號(hào):JX3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
≥3000 個(gè)
￥0.01
品牌:IR / VISHAY | 型號(hào):IRFP133 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān)
≥50 個(gè)
￥0.10
品牌:IR / VISHAY | 型號(hào):IRFP9233PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān)
≥50 個(gè)
￥0.10
品牌:SILAN/士蘭微 | 型號(hào):2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝
1-79 個(gè)
￥0.76
80-1999 個(gè)
￥0.67
≥2000 個(gè)
￥0.63
品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):CPH3304 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流ID:-1.6A | 最大源漏電壓VDSS:-30V | 應(yīng)用范圍:放大
≥3000 個(gè)
￥0.40
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRGP35B60PD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 集電極最大允許電流ICM:50 | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:100
10-99 個(gè)
￥16.50
100-999 個(gè)
￥13.50
≥1000 個(gè)
￥11.00