品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFH5007TRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.01
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFH7107TRPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.01
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):94-4311 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
500-999 個(gè)
¥1.02
1000-1999 個(gè)
¥1.00
≥2000 個(gè)
¥0.98
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF1010E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:WAFER/裸芯片 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個(gè)
¥1.80
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):94-4311 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
500-999 個(gè)
¥1.02
1000-1999 個(gè)
¥1.00
≥2000 個(gè)
¥0.98
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF540N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
500-999 個(gè)
¥0.50
≥1000 個(gè)
¥0.40
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF1010Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大
≥1 個(gè)
¥5.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF9530 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
≥100 個(gè)
¥0.80
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF1018ESL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大
≥1 個(gè)
¥5.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFR024N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道
≥5000 個(gè)
¥0.90
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF530NS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大
≥1 個(gè)
¥5.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):MOS管 場效應(yīng)管IR21571 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
50-499 個(gè)
¥2.00
500-1999 個(gè)
¥1.90
≥2000 個(gè)
¥1.80
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRLR120NTRPbF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 功耗:48W | 漏源極電壓:100V | 工作溫度范圍:-55°C 到 +175°C
≥100 個(gè)
¥1.35
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRGP35B60PD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 集電極最大允許電流ICM:50 | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:100
10-99 個(gè)
¥16.50
100-999 個(gè)
¥13.50
≥1000 個(gè)
¥11.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRG4H50S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:40 | 低頻噪聲系數(shù):50 | 極間電容:1000
10-199 個(gè)
¥16.00
200-2999 個(gè)
¥13.00
≥3000 個(gè)
¥9.80
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFB3207 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):3 | 最大漏極電流:333 | 開啟電壓:33
≥1 個(gè)
¥8.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF3710S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大
≥1 個(gè)
¥5.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF9Z24N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
≥1 個(gè)
¥0.60