品牌:IR | 型號:IRF540 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥500 個(gè)
¥0.55
品牌:ST/意法 | 型號:P3NB60FP P3NK60ZFP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個(gè)
¥0.40
5000-9999 個(gè)
¥0.38
≥10000 個(gè)
¥0.35
品牌:NEC/日本電氣 | 型號:K4145 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
500-999 個(gè)
¥0.22
1000-4999 個(gè)
¥0.20
≥5000 個(gè)
¥0.17
品牌:IR/國際整流器 | 型號:94-4311 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
500-999 個(gè)
¥1.02
1000-1999 個(gè)
¥1.00
≥2000 個(gè)
¥0.98
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP13N50C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號:2011 | 封裝:TO-220
≥1000 個(gè)
¥0.10
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K2232 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10-199 個(gè)
¥0.45
≥200 個(gè)
¥0.40
品牌:MITSUBISHI/三菱 | 型號:FS7KM-12 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
500-999 個(gè)
¥0.58
1000-1999 個(gè)
¥0.55
≥2000 個(gè)
¥0.50
品牌:ST/意法 | 型號:P80NF03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
500-999 個(gè)
¥0.68
1000-1999 個(gè)
¥0.65
≥2000 個(gè)
¥0.60
品牌:ST/意法 | 型號:STP12NB50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.60
品牌:ST/意法 | 型號:P80NF70 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 個(gè)
¥0.35
5000-9999 個(gè)
¥0.32
≥10000 個(gè)
¥0.30
品牌:IR/國際整流器 | 型號:94-4311 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
500-999 個(gè)
¥1.02
1000-1999 個(gè)
¥1.00
≥2000 個(gè)
¥0.98
品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK1943 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
500-999 個(gè)
¥0.45
1000-1999 個(gè)
¥0.40
≥2000 個(gè)
¥0.38
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF540N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
500-999 個(gè)
¥0.50
≥1000 個(gè)
¥0.40
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:K3566 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個(gè)
¥0.65
品牌:ST/意法 | 型號:P65NF06 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
10-999 個(gè)
¥0.35
≥1000 個(gè)
¥0.28
品牌:Vishay/威世通 | 型號:SiSA04DN | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥0.20
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF9530 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道
≥100 個(gè)
¥0.80
品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3878 K3878 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個(gè)
¥5.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFR024N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道
≥5000 個(gè)
¥0.90
品牌:ST/意法 | 型號:STD10PF06T4 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1 個(gè)
¥0.65