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  1. 場(chǎng)效應(yīng)管mos管

    • AO3401 -30V -4.2A SOT-23 MOS管

      品牌:實(shí)力通 | 型號(hào):AO3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:TR/激勵(lì)、驅(qū)動(dòng) | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 電壓:-30V | 電流:-4.2A

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    • 場(chǎng)效應(yīng)管，2SK1194

      品牌:新電元 | 型號(hào):2SK1194 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體

    • ≥10 個(gè)

      ￥0.01

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    • 場(chǎng)效應(yīng)管，2SB906

      品牌:TOSHIBA | 型號(hào):2SB906 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體

    • ≥10 個(gè)

      ￥0.01

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    • 場(chǎng)效應(yīng)管，2SC5886A

      品牌:TOSHIBA | 型號(hào):2SC5886A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體

    • ≥10 個(gè)

      ￥0.01

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    • 場(chǎng)效應(yīng)管STP15NK50ZFP P15NK50ZFP

      品牌:ST/意法 | 型號(hào):STP15NK50ZFP P15NK50ZFP | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 功率:1 | 電源電壓:1 | 封裝:TO-220F

    • ≥5 個(gè)

      ￥1.80

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