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- AOD4189 TO-252 P溝道 MOS管貼片場效應(yīng)管 AOS美國萬代
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號(hào):AOD4189 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： n溝道貼片場效應(yīng)管萬代mos管 to-252貼片場效應(yīng)管
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- AOD4185 TO-252 P溝道 MOS管貼片場效應(yīng)管 AOS美國萬代
  
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- AOS/美國萬代 AO4718 MOS管 AOS場效應(yīng)管
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號(hào):AO4718 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，肖特基，金屬氧化物! | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：萬代mos管 aos場效應(yīng)管
- ≥1 個(gè)
  
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- 詢價(jià)
- AOS/美國萬代 AOT460 MOS管場效應(yīng)管
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號(hào):AOT460 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:TO-220-3 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： to-3場效應(yīng)管 aos場效應(yīng)管萬代mos管
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- AOS/美國萬代 AOT430 MOS管場效應(yīng)管
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號(hào):AOT430 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： aos場效應(yīng) aos場效應(yīng)管萬代mos管
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.50
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- AOS/美國萬代半導(dǎo)體進(jìn)口AOP608 aos場效應(yīng)管 MOS管
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號(hào):AOP608 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 aos場效應(yīng)管萬代mos管
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  ￥0.65
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- AOS/美國萬代 AOT404 MOS管場效應(yīng)管
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號(hào):AOT404 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:TO-220-3 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： to-3場效應(yīng)管 aos場效應(yīng)管萬代mos管
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- AOS/美國萬代 AOP806 MOS管場效應(yīng)管
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號(hào):AOP806 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 aos場效應(yīng)管萬代mos管
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.57
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- AOS/美國萬代 AON3810 MOS管場效應(yīng)管
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號(hào):AON3810 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:2 個(gè) N 溝道（雙） | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:8-SMD，扁平引線裸焊盤 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： aos場效應(yīng)管萬代mos管
- ≥1 個(gè)
  
  ￥0.80
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- AOS/美國萬代 AON3402 AOS場效應(yīng)管 MOS管
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號(hào):AON3402 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:8-VDFN | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： aos場效應(yīng)管萬代mos管
- 1-999 個(gè)
  
  ￥1.00
- 1000-2999 個(gè)
  
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- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.85
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- AOS/美國萬代 AON3806 MOS管場效應(yīng)管
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號(hào):AON3806 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:2 個(gè) N 溝道（雙） | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:8-SMD，扁平引線裸焊盤 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 aos場效應(yīng)管萬代mos管
- ≥1 個(gè)
  
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- C4420 2SC4420
  
  品牌:CRI美國克里姆森 | 型號(hào):C4420 2SC4420 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
- ≥100 個(gè)
  
  ￥2.00
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- 2SA1386 A1386
  
  品牌:CSA美國CSA工業(yè) | 型號(hào):A1386 2SA1386/2SC3519 C3519 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型
- 10-99 個(gè)
  
  ￥2.50
- 100-199 個(gè)
  
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- A1205 2SA1205
  
  品牌:Clevite美國 | 型號(hào):A1205 2SA1205 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
- ≥100 個(gè)
  
  ￥2.80
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- D1027 2SD1027
  
  品牌:Calogic美國 | 型號(hào):D1027 2SD1027 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型
- ≥100 個(gè)
  
  ￥2.50
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- C4235 2SC4235
  
  品牌:CEN美國中央半導(dǎo)體 | 型號(hào):2SC4235 C4235 C4706 2SC4706 C4138 2SC4138 D92-03 D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:HA/行輸出級(jí) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
- ≥100 個(gè)
  
  ￥2.00
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- C3210 2SC3210
  
  品牌:Clevite美國 | 型號(hào):C3210 2SC3210 2SC3012 C3012 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型
- ≥100 個(gè)
  
  ￥3.00
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- D1396 2SD1396
  
  品牌:BEN美國本迪克斯 | 型號(hào):D1399 2SD1399 2SD1396 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
- ≥100 個(gè)
  
  ￥2.00
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- D1399 2SD1399
  
  品牌:APT美國先進(jìn)功率 | 型號(hào):D1399 2SD1399 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
- ≥100 個(gè)
  
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- C4059 2SC4059
  
  品牌:CEN美國中央半導(dǎo)體 | 型號(hào):C4059 2SC4059 2SC4058 2SC4232 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
- 10-99 個(gè)
  
  ￥2.00
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