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- 大電流場效應(yīng)管 IGBT MOS管IRFB4110 180A 100V 370瓦
  
  類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFB4110 | 功率:-- | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝:TO-220 | 批號(hào):--
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： igbt晶體管大電流場效應(yīng)管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥2.30
- 詢價(jià)
- VISHAY三極管MOS管CJ2305大芯片標(biāo)準(zhǔn)電流
  
  應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:長電 | 型號(hào):CJ2305 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:貼片型 | 集電極最大耗散功率PCM:1.7 | 擊穿電壓VCBO:8 | 結(jié)構(gòu):點(diǎn)接觸型
- 詢價(jià)
- 超大電流15N06
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):15N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 跨導(dǎo):**** | 開啟電壓:15 | 夾斷電壓:6 | 低頻噪聲系數(shù):/ | 極間電容:*
- ≥100 個(gè)
  
  ￥1.50
- 詢價(jià)
- 超大電流K2049
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):K2049 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:57 | 跨導(dǎo):7 | 開啟電壓:52 | 夾斷電壓:25 | 低頻噪聲系數(shù):** | 極間電容:****
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)
- IRF540 件進(jìn)口大電流場效應(yīng)管 IGBT MOS管
  
  品牌:IRF540 | 型號(hào):IRF540 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:TO220 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | --:--
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： igbt晶體管大電流場效應(yīng)管 irf540場效應(yīng)管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢價(jià)
- 大電流場效應(yīng)管 IGBT MOS管IRF540N
  
  品牌:IRF540N | 型號(hào):IRF540N | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:TO220 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | --:--
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： igbt晶體管大電流場效應(yīng)管 irf540n場效應(yīng)管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)
- 大電流場效應(yīng)管 IGBT MOS管IRF530
  
  品牌:IRF530 | 型號(hào):IRF530 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:TO220 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | --:--
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流場效應(yīng)管 irf530場效應(yīng)管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.35
- 詢價(jià)
- IRF1405 大電流MOS管
- ≥200 個(gè)
  
  ￥1.00
- 詢價(jià)
- IRL3715 大電流場效應(yīng)管
- ≥500 個(gè)
  
  ￥0.50
- 詢價(jià)
- IRFB59N10D大電流場效應(yīng)管
- ≥500 個(gè)
  
  ￥1.30
- 詢價(jià)
- 大電流場效應(yīng)管IRFS4410
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFS4410 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥200 個(gè)
  
  ￥1.20
- 詢價(jià)
- 大電流場效應(yīng)管IRFB4227
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFB4227 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1
- ≥200 個(gè)
  
  ￥1.50
- 詢價(jià)
- IRFB3507大電流場效應(yīng)管
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFB3507 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥500 個(gè)
  
  ￥1.50
- 詢價(jià)
- 仙童FQP50N06 FQP60N06 FQP65N06系列低壓大電流MOS管
  
  品牌:Federick美國 | 型號(hào):FQP50N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:0.1 | 開啟電壓:2 | 夾斷電壓:20 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:500 | 最大耗散功率:1
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：美國mos管仙童mos管低壓mos管
- ≥1 K
  
  ￥1.20
- 詢價(jià)
- 大電流場效應(yīng)管 MOS管130A200V超長腳IRFB4227 IRFB4229
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFB4227 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
- ≥100 個(gè)
  
  ￥2.20
- 詢價(jià)
- 超大電流80N75
  
  品牌:VAL德國凡爾伏 | 型號(hào):80N75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 跨導(dǎo):11 | 開啟電壓:84 | 夾斷電壓:60 | 低頻噪聲系數(shù):* | 極間電容:**
- ≥100 個(gè)
  
  ￥1.60
- 詢價(jià)
- 超大電流75229P
  
  品牌:Teledyne美德 | 型號(hào):75229P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 跨導(dǎo):*** | 開啟電壓:260 | 夾斷電壓:30 | 極間電容:*
- ≥100 個(gè)
  
  ￥1.20
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)大電流8205A SOT23-6
  
  品牌:中性 | 型號(hào):8205A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 低頻跨導(dǎo):5
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.13
- 詢價(jià)
- 大電流場效應(yīng)管 IGBT MOS管IRFB31N20三極管
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFB31N20 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MAP/匹配對(duì)管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： igbt晶體管大電流場效應(yīng)管大電流三極管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)
- 場效應(yīng)管大電流IRF9Z34N,IRF9Z34，全系列MOS管
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF9Z34N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 低頻跨導(dǎo):5
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：大電流場效應(yīng)管
- ≥100 個(gè)
  
  ￥1.30
- 詢價(jià)

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