詳細(xì)信息
數(shù)據(jù)列表 | IRLR120NTRPbF |
產(chǎn)品相片 | TO-263 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 2,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET -單 |
系列 | HEXFET? |
FET類型 | MOSFET N通道，金屬氧化物 |
FET功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓(Vdss) | 100V |
電流-連續(xù)漏極(Id)（25° C時） | 10A |
不同 Id、Vgs時的 Rds On（最大值） | 185毫歐@ 6A，10V |
不同Id時的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250μA |
不同Vgs時的柵極電荷(Qg) | 20nC @ 5V |
不同Vds時的輸入電容(Ciss) | 440pF @ 25V |
功率-最大值 | 48W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63 |
供應(yīng)商器件封裝 | D-Pak |
包裝 | 帶卷(TR) |