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參數(shù)資料
| 型號： | WED3DL3216V8BC |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 17 X 23 MM, MO-163, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 9/27頁 |
| 文件大?。?/td> | 989K |
| 代理商： | WED3DL3216V8BC |
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17
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
WED3DL3216V
November, 2005
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
PAGE WRITE CYCLE AT DIFFERENT BANK @ BURST LENGTH = 4
NOTES:
1.
To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2.
To interrupt burst write by Row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.
CLOCK
CKE
CE#
RAS#
CAS#
ADDR
BA
A10/AP
WE#
DQM
01
2
3
4
56
78
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
DON’T CARE
Precharge
(All Banks)
DQ
Precharge
(All Banks)
Row Active
(A-Bank)
Precharge
(Both Banks)
Write
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
HIGH
Note 2
RAa
CAa
CAc
CBd
RAa
DAa0
DAa1
DAa2
DAa3
tRDL
DBb2
DAc1
DAc0
DBb3
DBb0
Write
(B-Bank)
Write
(B-Bank)
RBb
Note 1
CBb
RBb
DBb1
DBd0
DBd1
tCDL
Row Active
(B-Bank)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WEDPF2M64B-120BC3 | 2M X 64 FLASH 3.3V PROM MODULE, 120 ns, PBGA119 |
| WS57C45-35T | 2K X 8 UVPROM, 15 ns, CDIP24 |
| W25Q64BVZEIP | 8M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W3DG634V7D2 | 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, DMA168 |
| WPF512K8C70TFI5 | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO32 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| WED3DL3216V8BI | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:16Mx32 SDRAM |
| WED3DL3216V-BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM MCP |
| WED3DL324V10BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 SDRAM |
| WED3DL324V8BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 SDRAM |
| WED3DL324V-BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM MCP |
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