參數(shù)資料
型號(hào)： WED3DL3216V8BC
廠商： MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS
元件分類： DRAM
英文描述： 16M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA119
封裝： 17 X 23 MM, MO-163, BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 7/27頁(yè)
文件大?。?/td> 989K
代理商： WED3DL3216V8BC
15
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
WED3DL3216V
November, 2005
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
PAGE READ & WRITE CYCLE AT SAME BANK @ BURST LENGTH = 4
NOTES:
1.
To write data before burst read ends, DQM should be asserted three cycles prior to write command to avoid bus contention.
2.
Row precharge will interrupt writing. Last data input, tRDL before Row precharge, will be written.
3.
DQM should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge before end of burst. Input data after Row precharge cycle will be masked
internally.
CLOCK
CKE
CE#
RAS#
CAS#
ADDR
BA
A10/AP
CL = 2
WE#
DQM
01
2
3
4
56
78
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
DON’T CARE
Precharge
(All Banks)
DQ
CL = 3
Row Active
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
HIGH
Note 2
tRCD
Ra
Ca0
Rb
Cb0
Ra
Qa0
Qa1
Qb0
Qb1
Qa0
Qa1
Qb0
Qb1
tRDL
tCDL
Dc0
Dd1
Dd0
Dc1
Dc0
Dd1
Dd0
Dc1
Qb2
Write
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Cb0
Note 1
Note 3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
WEDPF2M64B-120BC3 2M X 64 FLASH 3.3V PROM MODULE, 120 ns, PBGA119
WS57C45-35T 2K X 8 UVPROM, 15 ns, CDIP24
W25Q64BVZEIP 8M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
W3DG634V7D2 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, DMA168
WPF512K8C70TFI5 512K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO32
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
WED3DL3216V8BI 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:16Mx32 SDRAM
WED3DL3216V-BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM MCP
WED3DL324V10BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 SDRAM
WED3DL324V8BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 SDRAM
WED3DL324V-BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM MCP
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