參數(shù)資料
型號(hào)： WED3DL3216V8BC
廠商： MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 16M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA119
封裝： 17 X 23 MM, MO-163, BGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 15/27頁(yè)
文件大小： 989K
代理商： WED3DL3216V8BC
22
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
WED3DL3216V
November, 2005
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
WRITE INTERRUPTED BY PRECHARGE COMMAND & WRITE BURST STOP CYCLE @ BURST
LENGTH = FULL PAGE
NOTES:
1.
At full page mode, burst is end at the end of burst. So auto precharge is possible.
2.
Data-in at the cycle of interrupted by precharge cannot be written into the corresponding memory cell. It is dened by AC parameter of tRDL. DQM at write interrupted by
precharge command is needed to prevent invalid write. DQM should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge before end of burst.
Input data after Row precharge cycle will be masked internally.
3.
Burst stop is valid at every burst length.
CLOCK
CKE
CE#
RAS#
CAS#
ADDR
BA
A10/AP
WE#
DQM
01
2
3
4
56
78
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
DON’T CARE
DQ
Row Active
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
HIGH
Note 2
tRDL
RAa
CAa
tBDL
CAb
RAa
DAa0
DAa1
DAa2
DAa3
DAb1
DAb4
DAb3
DAb2
DAb5
DAa4
Write
(A-Bank)
Burst Stop
DAb0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
WEDPF2M64B-120BC3 2M X 64 FLASH 3.3V PROM MODULE, 120 ns, PBGA119
WS57C45-35T 2K X 8 UVPROM, 15 ns, CDIP24
W25Q64BVZEIP 8M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
W3DG634V7D2 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, DMA168
WPF512K8C70TFI5 512K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO32
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
WED3DL3216V8BI 制造商:WEDC 制造商全稱(chēng):White Electronic Designs Corporation 功能描述:16Mx32 SDRAM
WED3DL3216V-BC 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:SDRAM MCP
WED3DL324V10BC 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x32 SDRAM
WED3DL324V8BC 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x32 SDRAM
WED3DL324V-BC 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:SDRAM MCP
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