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參數(shù)資料
| 型號： | WED3DL3216V8BC |
| 廠商： | MICROSEMI CORP-PMG MICROELECTRONICS |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 17 X 23 MM, MO-163, BGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 8/27頁 |
| 文件大小： | 989K |
| 代理商： | WED3DL3216V8BC |
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16
White Electronic Designs Corporation (602) 437-1520 www.whiteedc.com
White Electronic Designs
WED3DL3216V
November, 2005
Rev. 1
White Electronic Designs Corp. reserves the right to change products or specications without notice.
PAGE READ CYCLE AT DIFFERENT BANK @ BURST LENGTH = 4
NOTES:
1.
CE# can be don’t cared when RAS#, CAS# and WE# are high at the clock high going edge.
2.
To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
CLOCK
CKE
CE#
RAS#
CAS#
ADDR
BA
A10/AP
CL = 2
WE#
DQM
01
2
3
4
56
78
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
DON’T CARE
Precharge
(All Banks)
DQ
CL = 3
Precharge
(All Banks)
Row Active
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Read
(B-bank)
Read
(A-bank)
HIGH
Note 2
RAa
CAa
CAc
CBd
RAa
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
QBb2
QAc1
QAc0
QBb3
QBb0
Read
(A-bank)
Read
(B-bank)
CBb
Note 1
Row Active
(B-Bank)
Read
(A-bank)
CAe
RBb
QBb1
QBb2
QBb3
QAc0
QAc1
QBd0
QBd1
QAe0
QAe1
QBb0
QBb1
QBd0
QAe1
QAe0
QBd1
RBb
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WEDPF2M64B-120BC3 | 2M X 64 FLASH 3.3V PROM MODULE, 120 ns, PBGA119 |
| WS57C45-35T | 2K X 8 UVPROM, 15 ns, CDIP24 |
| W25Q64BVZEIP | 8M X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| W3DG634V7D2 | 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, DMA168 |
| WPF512K8C70TFI5 | 512K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO32 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| WED3DL3216V8BI | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:16Mx32 SDRAM |
| WED3DL3216V-BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM MCP |
| WED3DL324V10BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 SDRAM |
| WED3DL324V8BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x32 SDRAM |
| WED3DL324V-BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM MCP |
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