- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄368613 > S8S3122X16 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 256K x 16 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | S8S3122X16 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 16 SDRAM |
| 中文描述： | 256K × 16內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 43/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 1163K |
| 代理商： | S8S3122X16 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁當前第43頁第44頁
CMOS SDRAM
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
S8S3122X16
Ver 0.0 Sep. '01
Mode Register Set Cycle
HIGH
MRS
Auto Refresh
: Don't care
*Note :
1. CS, RAS, CAS, & WE activation at the same clock cycle with address key will set internal mode register.
2. Minimum 2 clock cycles should be met before new RAS activation.
3. Please refer to Mode Register Set table.
New
Command
New Command
Hi-Z
Hi-Z
tRC
HIGH
MODE REGISTER SET CYCLE
* Both banks precharge should be completed before Mode Register Set cycle and auto refresh cycle.
Auto Refresh Cycle
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
Key
Ra
*Note 3
*Note 1
*Note 2
～
～
～
～
～
～
～
～
～
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S8S3122X16-TCR1 | 256K x 16 SDRAM |
| S8S3122X16-TCR2 | 256K x 16 SDRAM |
| S9015 | PNP (LOW FREQUENCY, LOW NOISE AMPLIFIER) |
| S9015 | Low Frequency, Low Noise Amplifier |
| S9015 | PNP Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S8S3122X16-TCR1 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256K x 16 SDRAM |
| S8S3122X16-TCR2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256K x 16 SDRAM |
| S-8T | 制造商:ALLSTATES 功能描述: |
| S8T26AF | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| S8T28F | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。