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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | S8S3122X16 |
| 廠(chǎng)商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 16 SDRAM |
| 中文描述： | 256K × 16內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 19/44頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1163K |
| 代理商： | S8S3122X16 |
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S8S3122X16
CMOS SDRAM
Ver 0.0 Sep. '01
*Note :
2. To inhibit invalid write, DQM should be issued.
3. This precharge command and burst write command should be of the same bank, otherwise it is not precharge
interrupt but only the other bank precharge of dual banks operation.
5. Write Interrupted by Precharge & DQM
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQM
DQ
Masked by DQM
WR
PRE
D
3
Note 3
Note 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S8S3122X16-TCR1 | 256K x 16 SDRAM |
| S8S3122X16-TCR2 | 256K x 16 SDRAM |
| S9015 | PNP (LOW FREQUENCY, LOW NOISE AMPLIFIER) |
| S9015 | Low Frequency, Low Noise Amplifier |
| S9015 | PNP Silicon Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S8S3122X16-TCR1 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:256K x 16 SDRAM |
| S8S3122X16-TCR2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:256K x 16 SDRAM |
| S-8T | 制造商:ALLSTATES 功能描述: |
| S8T26AF | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| S8T28F | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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