參數(shù)資料
型號(hào)： S8S3122X16
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256K x 16 SDRAM
中文描述： 256K × 16內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 16/44頁(yè)
文件大小： 1163K
代理商： S8S3122X16
S8S3122X16
CMOS SDRAM
Ver 0.0 Sep. '01
1) Clock Suspended During Write (BL=4)
1. CLOCK Suspend
WR
D
0
D
1
D
2
D
3
D
0
D
1
D
2
D
3
CLK
CMD
CKE
Internal
CLK
DQ(CL2)
DQ(CL3)
Masked by CKE
2) Clock Suspended During Read (BL=4)
D
0
Q
1
Not Written
1) Write Mask (BL=4)
2. DQM Operation
WR
D
0
D
1
D
3
D
0
D
1
D
3
CLK
CMD
DQM
DQ(CL2)
DQ(CL3)
Masked by DQM
2) Read Mask (BL=4)
RD
Q
0
Q
2
Q
3
Q
1
Q
2
Q
3
Masked by DQM
DQM to Data-in Mask = 0
DQM to Data-out Mask = 2
Hi-Z
Hi-Z
3) DQM with Clock Suspended (Full Page Read)
Note 2
CLK
RD
CMD
CKE
DQ(CL2)
DQ(CL3)
Q
0
Q
4
Q
7
Q
8
Q
2
Q
3
Q
6
Q
7
Q
1
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
Hi-Z
DQM
*Note :
1. CKE to CLK disable/enable = 1CLK.
2. DQM makes data out Hi-Z after 2CLKs which should masked by CKE " L"
3. DQM masks both data-in and data-out.
BASIC FEATURE AND FUNCTION DESCRIPTIONS
RD
Q
0
Q
2
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Masked by CKE
Q
3
Suspended Dout
Q
6
Q
5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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