參數(shù)資料
型號： S8S3122X16
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256K x 16 SDRAM
中文描述： 256K × 16內(nèi)存
文件頁數(shù)： 39/44頁
文件大?。?/td> 1163K
代理商： S8S3122X16
CMOS SDRAM
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S8S3122X16
Ver 0.0 Sep. '01
Write Interrupted by Precharge Command & Write Burst Stop Cycle @ Burst Length=Full page
Row Active
(A-Bank)
Burst Stop
Write
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
: Don't care
Write
(A-Bank)
*Note 2
tBDL
*Note :
1. At full page mode, burst is wrap-around at the end of burst. So auto precharge is impossible.
2. Data-in at the cycle of interrupted by precharge can not be written into the corresponding
memory cell. It is defined by AC parameter of t
RDL.
DQM at write interrupted by precharge command is needed to prevent invalid write.
DQM should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge
before end of burst. Input data after Row precharge cycle will be masked internally.
3. Burst stop is valid at every burst length.
HIGH
tRDL
BA
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
8
/AP
DAa0
DAa1
DAa2
DAa3 DAa4
DAb0
DAb1
DAb2
DAb3 DAb4
DAb5
RAa
CAa
CAb
RAa
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PDF描述
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S8T28F 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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