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參數(shù)資料
| 型號： | S8S3122X16 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 16 SDRAM |
| 中文描述： | 256K × 16內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 36/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 1163K |
| 代理商： | S8S3122X16 |
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CMOS SDRAM
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S8S3122X16
Ver 0.0 Sep. '01
Read & Write Cycle with Auto Precharge II @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
: Don't care
*Note :
* Any command to A-bank is not allowed in this period.
tRP is determined from at auto precharge start point
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read with
Auto Precharge
(B-Bank)
BA
A
8
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qb0
Qb1
Qb2
Qb3
Qb0
Qb1
Qb2
Qb3
Ra
Ca
Ra
Cb
Rb
Rb
*
Auto Precharge
Start Point
(B-Bank)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S8S3122X16-TCR1 | 256K x 16 SDRAM |
| S8S3122X16-TCR2 | 256K x 16 SDRAM |
| S9015 | PNP (LOW FREQUENCY, LOW NOISE AMPLIFIER) |
| S9015 | Low Frequency, Low Noise Amplifier |
| S9015 | PNP Silicon Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S8S3122X16-TCR1 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256K x 16 SDRAM |
| S8S3122X16-TCR2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256K x 16 SDRAM |
| S-8T | 制造商:ALLSTATES 功能描述: |
| S8T26AF | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| S8T28F | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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