參數(shù)資料
型號(hào)： S8S3122X16
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256K x 16 SDRAM
中文描述： 256K × 16內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 20/44頁(yè)
文件大?。?/td> 1163K
代理商： S8S3122X16
S8S3122X16
CMOS SDRAM
Ver 0.0 Sep. '01
*Note :
1. t
RDL
: Last data in to row precharge delay
2. Number of valid output data after row precharge : 1, 2 for CAS Latency =2, 3 respectively.
3. The row active command of the precharge bank can be issued after t
RP
from this point.
The new read/write command of the other activated bank can be issued from this point.
At burst read/write with auto precharge, CAS interrupt of the same/other bank is illegal.
6. Precharge
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQ
WR
PRE
D
3
1) Normal Write (BL=4)
tRDL
Note 2
2) Normal Read (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
PRE
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
1
2
Note 2
7. Auto Precharge
D
0
D
1
D
2
CLK
CMD
DQ
WR
D
3
1) Normal Write (BL=4)
Note 3
Auto Precharge Starts
2) Normal Read (BL=4)
CLK
CMD
DQ(CL2)
DQ(CL3)
RD
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Q
0
Q
1
Q
2
Q
3
Note 3
Auto Precharge Starts
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S8S3122X16-TCR1 256K x 16 SDRAM
S8S3122X16-TCR2 256K x 16 SDRAM
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S9015 Low Frequency, Low Noise Amplifier
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S-8T 制造商:ALLSTATES 功能描述:
S8T26AF 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
S8T28F 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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