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參數(shù)資料
| 型號： | S8S3122X16 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 16 SDRAM |
| 中文描述： | 256K × 16內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 30/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 1163K |
| 代理商： | S8S3122X16 |
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CMOS SDRAM
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S8S3122X16
Ver 0.0 Sep. '01
Read & Write Cycle at Same Bank @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
: Don't care
*Note :
1. Minimum row cycle times is required to complete internal DRAM operation.
2. Row precharge can interrupt burst on any cycle. [CAS Latency - 1] number of valid output data
is available after Row precharge. Last valid output will be Hi-Z(t
SHZ
) after the clcok.
3. Access time from Row active command. t
CC
*(t
RCD
+ CAS latency - 1) + t
SAC
4. Ouput will be Hi-Z after the end of burst. (1, 2, 4, 8 & Full page bit burst wrap-around).
Read
(A-Bank)
*Note 1
tRC
tRCD
*Note 2
tRDL
tRDL
tSHZ
*Note 4
tSHZ
*Note 4
tOH
tRAC
*Note 3
tSAC
tSAC
tRAC
*Note 3
tOH
BA
A
8
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
Ra
Rb
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Qa0
Qa1
Qa2
Qa3
Db0
Db1
Db2
Db3
Db0
Db1
Db2
Db3
Ra
Ca0
Rb
Cb0
WE
DQM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S8S3122X16-TCR1 | 256K x 16 SDRAM |
| S8S3122X16-TCR2 | 256K x 16 SDRAM |
| S9015 | PNP (LOW FREQUENCY, LOW NOISE AMPLIFIER) |
| S9015 | Low Frequency, Low Noise Amplifier |
| S9015 | PNP Silicon Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S8S3122X16-TCR1 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256K x 16 SDRAM |
| S8S3122X16-TCR2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256K x 16 SDRAM |
| S-8T | 制造商:ALLSTATES 功能描述: |
| S8T26AF | 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述: |
| S8T28F | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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