參數(shù)資料
型號(hào)： S8S3122X16
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256K x 16 SDRAM
中文描述： 256K × 16內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 32/44頁(yè)
文件大小： 1163K
代理商： S8S3122X16
CMOS SDRAM
0
1
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S8S3122X16
Ver 0.0 Sep. '01
Page Read Cycle at Different Bank @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Read
(B-Bank)
: Don't care
*Note :
1. CS can be don't cared when RAS, CAS and WE are high at the clock high going dege.
2. To interrupt a burst read by row precharge, both the read and the precharge banks must be the same.
Read
(A-Bank)
*Note 2
*Note 1
Read
(B-Bank)
Read
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
BA
A
8
/AP
CL=2
CL=3
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
RAa
RBb
RAa
RBb
CAa
CBb
CBd
CAc
CAe
QAa0 QAa1
QAa2 QAa3
QBb0 QBb1 QBb2 QBb3
QAc0
QAc1
QBd0 QBd1
QAe0 QAe1
QAa0 QAa1
QAa2 QAa3
QBb0 QBb1 QBb2 QBb3
QAc0
QAc1
QBd0 QBd1
QAe0 QAe1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S8S3122X16-TCR1 256K x 16 SDRAM
S8S3122X16-TCR2 256K x 16 SDRAM
S9015 PNP (LOW FREQUENCY, LOW NOISE AMPLIFIER)
S9015 Low Frequency, Low Noise Amplifier
S9015 PNP Silicon Transistor
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參數(shù)描述
S8S3122X16-TCR1 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256K x 16 SDRAM
S8S3122X16-TCR2 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256K x 16 SDRAM
S-8T 制造商:ALLSTATES 功能描述:
S8T26AF 制造商:Advanced Micro Devices 功能描述:
S8T28F 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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