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參數(shù)資料
| 型號： | S29GL256N10FFI010 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | MirrorBit Flash Family |
| 中文描述： | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, LEAD FREE, FBGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 82/95頁 |
| 文件大?。?/td> | 3781K |
| 代理商： | S29GL256N10FFI010 |
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May 30, 2008 S29GL-N_00_B8
S29GL-N
83
Data
She e t
18.2
LAA064—64-Ball Fortified Ball Grid Array (FBGA)
3354 \ 16-038.12d
PACKAGE
LAA 064
JEDEC
N/A
13.00 mm x 11.00 mm
PACKAGE
SYMBOL
MIN
NOM
MAX
NOTE
A
---
1.40
PROFILE HEIGHT
A1
0.40
---
STANDOFF
A2
0.60
---
BODY THICKNESS
D
13.00 BSC.
BODY SIZE
E
11.00 BSC.
BODY SIZE
D1
7.00 BSC.
MATRIX FOOTPRINT
E1
7.00 BSC.
MATRIX FOOTPRINT
MD
8
MATRIX SIZE D DIRECTION
ME
8
MATRIX SIZE E DIRECTION
N
64
BALL COUNT
φb
0.50
0.60
0.70
BALL DIAMETER
eD
1.00 BSC.
BALL PITCH - D DIRECTION
eE
1.00 BSC.
BALL PITCH - E DIRECTION
SD / SE
0.50 BSC.
SOLDER BALL PLACEMENT
NONE
DEPOPULATED SOLDER BALLS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME Y14.5M-1994.
2. ALL DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
3. BALL POSITION DESIGNATION PER JESD 95-1, SPP-010 (EXCEPT
AS NOTED).
4.
e REPRESENTS THE SOLDER BALL GRID PITCH.
5. SYMBOL "MD" IS THE BALL ROW MATRIX SIZE IN THE
"D" DIRECTION.
SYMBOL "ME" IS THE BALL COLUMN MATRIX SIZE IN THE
"E" DIRECTION.
N IS THE TOTAL NUMBER OF SOLDER BALLS.
6
DIMENSION "b" IS MEASURED AT THE MAXIMUM BALL
DIAMETER IN A PLANE PARALLEL TO DATUM C.
7
SD AND SE ARE MEASURED WITH RESPECT TO DATUMS
A AND B AND DEFINE THE POSITION OF THE CENTER
SOLDER BALL IN THE OUTER ROW.
WHEN THERE IS AN ODD NUMBER OF SOLDER BALLS IN
THE OUTER ROW PARALLEL TO THE D OR E DIMENSION,
RESPECTIVELY, SD OR SE = 0.000.
WHEN THERE IS AN EVEN NUMBER OF SOLDER BALLS IN
THE OUTER ROW, SD OR SE = e/2
8. NOT USED.
9. "+" INDICATES THE THEORETICAL CENTER OF DEPOPULATED
BALLS.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL256N80FAI010 | MirrorBit Flash Family |
| S29GL256N80FFI010 | MirrorBit Flash Family |
| S29GL256N80FFI013 | MirrorBit Flash Family |
| S29JL032H90TAI223 | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48 |
| S29WS064N0PBAW011 | 256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| S29GL256N10FFI012 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash - NOR IC |
| S29GL256N10FFI020 | 制造商:Spansion 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 256Mbit 32M/16M x 8bit/16bit 100ns 64-Pin Fortified BGA Tray 制造商:Spansion 功能描述:MIRRORBIT FLASH 256MB SMD 29LV256 |
| S29GL256N10TFI010 | 功能描述:IC FLASH 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲器類型:非易失 存儲器格式:閃存 技術:FLASH - NOR 存儲容量:256Mb （32M x 8，16M x 16） 寫周期時間 - 字，頁:100ns 訪問時間:100ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商器件封裝:56-TSOP 標準包裝:91 |
| S29GL256N11FAI010 | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray |
| S29GL256N11FAIIH2 | 制造商:Spansion 功能描述:S29GL256N11FAIIH2 - Trays |
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