參數(shù)資料
型號(hào)： S29GL256N10FFI010
廠商： SPANSION LLC
元件分類： PROM
英文描述： MirrorBit Flash Family
中文描述： 16M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA64
封裝： 13 X 11 MM, LEAD FREE, FBGA-64
文件頁(yè)數(shù)： 75/95頁(yè)
文件大?。?/td> 3781K
代理商： S29GL256N10FFI010
May 30, 2008 S29GL-N_00_B8
S29GL-N
77
Data
She e t
Figure 15.6 Chip/Sector Erase Operation Timings
Notes
1. SA = sector address (for Sector Erase), VA = Valid Address for reading status data (see Write Operation Status on page 64).
2. These waveforms are for the word mode.
Figure 15.7 Data# Polling Timings (During Embedded Algorithms)
Notes
1. VA = Valid address. Illustration shows first status cycle after command sequence, last status read cycle, and array data read cycle.
2. tOE for data polling is 45 ns when VIO = 1.65 to 2.7 V and is 35 ns when VIO = 2.7 to 3.6 V.
OE#
CE#
Addresses
VCC
WE#
Data
2AAh
SA
tAH
tWP
tWC
tAS
tWPH
555h for chip erase
10 for Chip Erase
30h
tDS
tVCS
tCS
tDH
55h
tCH
In
Progress
Complete
tWHWH2
VA
Erase Command Sequence (last two cycles)
Read Status Data
RY/BY#
tRB
tBUSY
WE#
CE#
OE#
High Z
tOE
High Z
DQ7
DQ6–DQ0
RY/BY#
tBUSY
Complement
True
Addresses
VA
tOEH
tCE
tCH
tOH
tDF
VA
Status Data
Complement
Status Data
True
Valid Data
tACC
tRC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL256N80FAI010 MirrorBit Flash Family
S29GL256N80FFI010 MirrorBit Flash Family
S29GL256N80FFI013 MirrorBit Flash Family
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S29WS064N0PBAW011 256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY
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參數(shù)描述
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