參數(shù)資料
型號(hào)： S29GL256N10FFI010
廠商： SPANSION LLC
元件分類： PROM
英文描述： MirrorBit Flash Family
中文描述： 16M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA64
封裝： 13 X 11 MM, LEAD FREE, FBGA-64
文件頁數(shù)： 69/95頁
文件大?。?/td> 3781K
代理商： S29GL256N10FFI010
May 30, 2008 S29GL-N_00_B8
S29GL-N
71
Data
She e t
14. Test Conditions
Figure 14.1 Test Setup
Note
Diodes are IN3064 or equivalent
Note
If VIO < VCC, the reference level is 0.5 VIO.
14.1
Key to Switching Waveforms
Figure 14.2 Input Waveforms and Measurement Levels
Note
If VIO < VCC, the input measurement reference level is 0.5 VIO.
Table 14.1 Test Specifications
Test Condition
All Speeds
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, CL
(including jig capacitance)
30
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Levels
0.0–VIO
V
Input timing measurement reference levels (See Note)
0.5VIO
V
Output timing measurement reference levels
0.5 VIO
V
2.7 k
Ω
CL
6.2 k
Ω
3.3 V
Device
Under
Test
Waveform
Inputs
Outputs
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
V
IO
0.0 V
0.5 V
IO
0.5 VIO V
Output
Measurement Level
Input
相關(guān)PDF資料
PDF描述
S29GL256N80FAI010 MirrorBit Flash Family
S29GL256N80FFI010 MirrorBit Flash Family
S29GL256N80FFI013 MirrorBit Flash Family
S29JL032H90TAI223 2M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PDSO48
S29WS064N0PBAW011 256/128/64 MEGABIT CMOS 1.8 VOLT ONLY SIMULTANEOUS READ/WRITE BURST MODE FLASH MEMORY
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參數(shù)描述
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S29GL256N10TFI010 功能描述:IC FLASH 制造商:cypress semiconductor corp 系列:GL-N 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 存儲(chǔ)器類型:非易失 存儲(chǔ)器格式:閃存 技術(shù):FLASH - NOR 存儲(chǔ)容量:256Mb （32M x 8，16M x 16） 寫周期時(shí)間 - 字，頁:100ns 訪問時(shí)間:100ns 存儲(chǔ)器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:56-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:91
S29GL256N11FAI010 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 256M-Bit 32M x 8/16M x 16 110ns 64-Pin Fortified BGA Tray
S29GL256N11FAIIH2 制造商:Spansion 功能描述:S29GL256N11FAIIH2 - Trays
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