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參數(shù)資料
| 型號： | NT5TU64M16DG-3C |
| 廠商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| 封裝： | GREEN, BGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 69/85頁 |
| 文件大?。?/td> | 2622K |
| 代理商： | NT5TU64M16DG-3C |
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NT5TU256M4GE / NT5TU128M8GE / NT5TU64M16GG
1Gb DDR2 SDRAM
71
REV 1.0
06 / 2010
Symbol
Parameter
DDR2-667
DDR2-800
Units
Min.
Max.
Min.
Max.
tDIPW
DQ and DM input pulse width
(each input)
0.35
-
0.35
-
tCK(avg)
tAC
DQ output access time from CK /
-450
450
-400
400
ps
tDQSCK
DQS output access time from CK /
-400
400
-350
350
ps
tHZ
Data-out high-impedance time from CK /
-
tAC,max
-
tAC,max
ps
tLZ(DQS)
DQS(
) low-impedance time from CK /
tAC,min
tAC,max
tAC,min
tAC,max
ps
tLZ(DQ)
DQ low-impedance time from CK /
2 x tAC,min
tAC,max
2 x tAC,min
tAC,max
ps
tDQSQ
DQS-DQ skew
(for DQS & associated DQ signals)
-
240
-
200
ps
tHP
Clock half period
Min
(tCH(avg)
tCL(avg) )
-
Min
(tCH(avg)
tCL(avg) )
-
ps
tQHS
Data hold skew factor
-
340
-
300
ps
tQH
Data output hold time from DQS
tHP - tQHS
-
tHP - tQHS
-
ps
tRPRE
Read preamble
0.9
1.1
0.9
1.1
tCK(avg)
tRPST
Read postamble
0.4
0.6
0.4
0.6
tCK(avg)
tRRD
Active bank A to Active bank B
command period
x8
(1k page size)
7.5
-
7.5
-
ns
x16
(2k page size)
10
-
10
-
ns
tFAW
Four Activate Window
x8
(1k page size)
37.5
-
35
-
ns
x16
(2k page size)
50
-
45
-
ns
tCCD
A to B command period
2
-
2
-
nCK
tWR
Write recovery time
15
-
15
-
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTA2425E | |
| NTA2425F | |
| NTA2410-10 | |
| NTD2410F | |
| NTA2425-10 | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NT5TU64M16GG-AC | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:DRAM |
| NT5TU64M16GG-ACI | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:DRAM |
| NT5TU64M16HG-AC | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:MEMORY IC |
| NT5TU64M16HG-BE | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:MEMORY IC |
| NT6 | 功能描述:烙鐵 Weller Chisel Tip For WMP Solder Penc RoHS:否 制造商:Weller 產(chǎn)品:Soldering Stations 類型:Digital, Iron, Stand, Cleaner 瓦特:50 W 最大溫度:+ 850 F 電纜類型:US Cord Included |
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