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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NT5TU64M16DG-3C |
| 廠商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| 封裝： | GREEN, BGA-84 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 40/85頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2622K |
| 代理商： | NT5TU64M16DG-3C |
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NT5TU256M4GE / NT5TU128M8GE / NT5TU64M16GG
1Gb DDR2 SDRAM
45
REV 1.0
06 / 2010
Precharge & auto precharge clarification
From
Command
To Command
Minimum Delay between "From
command" to "to command"
Units
Note
Read
Precharge (to same Bank as Read)
AL + BL/2 + max(RTP,2) - 2
tCK
1,2
Precharge All
AL + BL/2 + max(RTP,2) - 2
tCK
1,2
Read w/AP
Precharge ( to same Bank as Read wAP) AL + BL/2 + max(RTP,2) - 2
tCK
1,2
Precharge Al
AL + BL/2 + max(RTP,2) - 2
tCK
1,2
Write
Precharge (to same Bank as Write)
WL + BL/2 + tWR
tCK
2
Precharge Al
WL + BL/2 + tWR
tCK
2
Write w/AP
Precharge (to same bank as Write w/AP) WL + BL/2 + WR
tCK
2
Precharge Al
WL + BL/2 + WR
tCK
2
Precharge
Precharge (to same bank as Precharge)
1
tCK
2
Precharge Al
1
tCK
2
Precharge All
Precharge
1
tCK
2
Precharge Al
1
tCK
2
Note:
1) RTP [cycles] = RU {tRTP(ns)/tCK(ns)}, where RI stands for round up.
2) For a given bank, the precharge period should be counted from the latest precharge command, either one bank precharge or precharge
all, issued to that bank. The precharge period is satisfied after tRP or tRPa depending on the latest precharge command issued to that
bank.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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