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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NT5TU64M16DG-3C |
| 廠商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| 封裝： | GREEN, BGA-84 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 61/85頁(yè) |
| 文件大小： | 2622K |
| 代理商： | NT5TU64M16DG-3C |
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NT5TU256M4GE / NT5TU128M8GE / NT5TU64M16GG
1Gb DDR2 SDRAM
64
REV 1.0
06 / 2010
Full Strength Calibrated Pull-down Driver Characteristics
Voltage (V)
Nominal Minimum
(21 Ohms)
Normal Low
(18.75 Ohms)
Normal
(18 ohms)
Normal High
(17.25 Ohms)
Normal Maximum
(15 Ohms)
0.2
9.5
10.7
11.5
11.8
13.3
0.3
14.3
16.0
16.6
17.4
20.0
0.4
18.7
21.0
21.6
23.0
27.0
The driver characteristics evaluation conditions are:
Nominal 25℃ (Tcase) , VDDQ = 1.8 V, typical process
Nominal Low and Nominal High 25℃ (Tcase), VDDQ = 1.8V, any process
Nominal Minimum Toper(max), VDDQ = 1.7 V, any process
Nominal Maximum
0℃(Tcase), VDDQ = 1.9 V, any process
Full Strength Calibrated Pull-up Driver Characteristics
Voltage (V)
Nominal Minimum
(21 Ohms)
Normal Low
(18.75 Ohms)
Normal
(18 ohms)
Normal High
(17.25 Ohms)
Normal Maximum
(15 Ohms)
0.2
-9.5
-10.7
-11.4
-11.8
-13.3
0.3
-14.3
-16.0
-16.6
-17.4
-20.0
0.4
-18.7
-21.0
-21.6
-23.0
-27.0
The driver characteristics evaluation conditions are:
Nominal 25℃ (Tcase) , VDDQ = 1.8 V, typical process
Nominal Low and Nominal High 25℃(Tcase), VDDQ = 1.8V, any process
Nominal Minimum Toper(max), VDDQ = 1.7 V, any process
Nominal Maximum
0℃ (Tcase), VDDQ = 1.9 V, any process
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