參數(shù)資料
型號(hào)： NAND99R3M2AZBB5E
廠商： NUMONYX
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107
封裝： 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-107
文件頁數(shù)： 4/33頁
文件大?。?/td> 724K
代理商： NAND99R3M2AZBB5E
Description
NANDxxxxMx
Figure 3.
TFBGA107 connections (top view through package)
1.
All voltage balls must be connected to the power supply (the internal connection is not guaranteed). All ground balls must
be connected to the ground.
2.
Balls shaded in gray are only used for NAND + DDR devices.
AI10143c
VDDD
A8
DQM1
VSSD
KE
A12
DQM0
H
A9
D
R
C
DQ4
A1
B
A3
A
8
7
6
5
4
3
2
1
VSSD
VDDQD
G
F
E
VDDQD
DU
WP
A0
BA0
DQ6
VSSQD
CAS
A11
NC
WF
BA1
A10
DU
VDDD
VSSD
9
NC
A2
ED
M
L
K
J
DU
DQ15
NC
DQ11
I/O6
VDDQD
VSSQD
NC
DQ9
I/O5
DQ13
VDDD
VSSF
VDDF
A7
I/O4
I/O7
A5
DU
VSSQD
A4
DU
P
N
10
NC
RB
DQ2
NC
EF
I/O3
VDDF
I/O2
NC
CL
AL
DQ0
VSSF
I/O1
VSSF
I/O0
K
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
VDDD
DQ10
DQ12
DQ14
VSSD
DQ8
DU
A6
WD
NC
RAS
VDDF
NC
K
LDQS
UDQS
I/O9
I/O11
I/O13
I/O15
I/O8
I/O10
I/O12
I/O14
DU
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND99W3M1AZBC5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137
NANDB9R4N2BZBA5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149
NANDBAR4N1BZBC5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137
NANDB9R4N2CZBA5E SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149
NB06QSA035 6 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND99R3M2AZBB5F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel
NAND99R3M4BZBB5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays
NAND99R3M4BZBB5F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel
NAND99R4M2AZBA5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays
NAND99R4M4BZBA5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays
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