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參數(shù)資料
| 型號： | NAND99R3M2AZBB5E |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107 |
| 封裝： | 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-107 |
| 文件頁數(shù)： | 19/33頁 |
| 文件大?。?/td> | 724K |
| 代理商： | NAND99R3M2AZBB5E |
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Package mechanical
NANDxxxxMx
Table 7.
TFBGA107 10.5 × 13 x 1.2 mm - 10 × 14 active ball array, 0.80 mm pitch,
mechanical data
Symbol
Millimeters
Inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
–
–1.20–
–
0.047
A1
–0.25–
–
0.012
–
A2
0.80
–
0.032
–
b
0.45
0.40
0.50
0.018
0.016
0.020
D
10.50
10.40
10.60
0.413
0.411
0.415
D1
7.20
–
0.283
–
ddd
–
0.10
–
E
13.00
12.90
13.10
0.512
0.510
0.514
E1
10.40
–
0.409
–
e0.80–
–
0.031
–
FD
1.65
–
0.065
–
FE
1.30
–
0.051
–
SD
0.40
–
0.016
–
SE
0.40
–
0.016
–
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND99W3M1AZBC5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137 |
| NANDB9R4N2BZBA5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149 |
| NANDBAR4N1BZBC5F | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137 |
| NANDB9R4N2CZBA5E | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149 |
| NB06QSA035 | 6 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND99R3M2AZBB5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel |
| NAND99R3M4BZBB5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NAND99R3M4BZBB5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel |
| NAND99R4M2AZBA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NAND99R4M4BZBA5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
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