參數(shù)資料
型號： NAND99R3M2AZBB5E
廠商： NUMONYX
元件分類： 存儲器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107
封裝： 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-107
文件頁數(shù)： 3/33頁
文件大?。?/td> 724K
代理商： NAND99R3M2AZBB5E
NANDxxxxMx
Description
11/32
Table 5.
Signal names (TFBGA152 package)
N
AND
fla
s
h
mem
o
ry
Signal
Function
Direction
I/O0-I/O7
Data Input/Outputs for x8 and x16 devices
Input/output
AL
Address Latch Enable
Input
CL
Command Latch Enable
Input
EF
Chip Enable
Input
R
Read Enable
Input
RB
Ready/Busy (open-drain output)
Output
WF
Write Enable
Input
WP
Write Protect
Input
VDDF
Supply voltage
Power supply
LPSD
RAM
A0-A12
Row address: A0-A12
Column address: A0-A8
Auto-precharge flag: A10
Ground
BA0-BA1
Bank Select inputs
Input
DQ0-DQ15
Data inputs/outputs
Input/output
K
Clock
Input
KE
Clock Enable
Input
ED
Chip Select
Input
WD
Write Enable
Input
RAS
Row Address Strobe
Input
CAS
Column Address Strobe
Input
DQM0
DQ Mask Enable (controls DQ0-DQ7)
Input
DQM1
DQ Mask Enable (controls DQ8-DQ15)
Input
VDDD
Supply voltage
Power supply
VDDQD
Input/output supply voltage
Power supply
VSS
Common NAND Flash and LPSDRAM ground
Ground
NC
Not connected internally
N/A
DU
Do not use
N/A
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PDF描述
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NANDBAR4N1BZBC5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137
NANDB9R4N2CZBA5E SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149
NB06QSA035 6 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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