參數(shù)資料
型號(hào)： NAND99R3M2AZBB5E
廠商： NUMONYX
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107
封裝： 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-107
文件頁數(shù)： 22/33頁
文件大?。?/td> 724K
代理商： NAND99R3M2AZBB5E
NANDxxxxMx
Package mechanical
29/32
Figure 12.
TFBGA149 10 × 13.5 x 1.2 mm - 12 × 16 active ball array, 0.80 mm pitch,
package outline
Table 10.
TFBGA149 10 × 13.5 x 1.2 mm - 12 × 16 active ball array, 0.80 mm pitch,
mechanical data
Symbol
Millimeters
Inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
–
1.20
–
0.047
A1
–0.25–
–
0.012
–
A2
0.80
–
0.031
–
b
0.45
0.40
0.50
0.018
0.016
0.020
D
10.00
9.90
10.10
0.394
0.390
0.398
D1
8.80
–
0.346
–
ddd
–
0.10
–
E
13.50
13.40
13.60
0.531
0.528
0.535
E1
12.00–
–0.472
–
e0.80–
–
0.031
–
FD
0.60
–
0.024
–
FE
0.75
–
0.029
–
SD
0.40
–
0.016
–
SE
0.40
–
0.016
–
A2
A1
A
BGA-Z78
ddd
D
E
e
b
SE
FD
FE
E1
e
SD
D1
BALL "A1"
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND99W3M1AZBC5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137
NANDB9R4N2BZBA5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149
NANDBAR4N1BZBC5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137
NANDB9R4N2CZBA5E SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149
NB06QSA035 6 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND99R3M2AZBB5F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel
NAND99R3M4BZBB5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays
NAND99R3M4BZBB5F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel
NAND99R4M2AZBA5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays
NAND99R4M4BZBA5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays
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