參數(shù)資料
型號(hào)： NAND99R3M2AZBB5E
廠商： NUMONYX
元件分類(lèi)： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107
封裝： 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-107
文件頁(yè)數(shù)： 32/33頁(yè)
文件大小： 724K
代理商： NAND99R3M2AZBB5E
Description
NANDxxxxMx
For detailed information on how to use the SDR/DDR LPSDRAM devices, refer to the
M65KA256AF, M65KA512AB, M65KC512AB, M65KC512AC, M65KG512AH,
M65KAxxxAJ, and M65KGxxxAJ datasheets available from your local Numonyx distributor.
Figure 1.
Logic diagram (TFBGA107, TFBGA137and TFBGA149 packages)
1.
See Table 4 for the description of the signals related to these packages.
2.
K is only available in MCP with DDR, LDQS, and UDQS are only available in MCP with DDR x16.
3.
DQM2 and DQM3 are only available in MCP with SDR/DDR x32.
NI3054
13
A0-A12
DQM0
K
VDDF
DQ0-DQ15, x16/x32
NANDxxxxMx
EF
WF
AL
2
BA0-BA1
RAS
R
VDDQD VDDD
RB
I/O8-I/O15, x16
VSSD
I/O0-I/O7, x8/x16
CL
KE
ED
WD
CAS
DQM2(3)
DQM1
DQM3(3)
WP
K(2)
DQ16-DQ31, x32
UDQS(2)
LDQS(2)
VSSF
VSSQD
8
16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND99W3M1AZBC5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137
NANDB9R4N2BZBA5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149
NANDBAR4N1BZBC5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137
NANDB9R4N2CZBA5E SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149
NB06QSA035 6 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND99R3M2AZBB5F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel
NAND99R3M4BZBB5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays
NAND99R3M4BZBB5F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel
NAND99R4M2AZBA5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays
NAND99R4M4BZBA5E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays
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