參數(shù)資料
型號： NAND512R3M0BZBE
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 存儲器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107
封裝： 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-107
文件頁數(shù)： 9/22頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： NAND512R3M0BZBE
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
Package Mechanical
17/22
3
Package Mechanical
Figure 7.
TFBGA107 10.5x13mm - 10x14 active ball array, 0.80mm pitch, Bottom Outline
1.
Drawing not to scale.
A2
A1
A
BGA-Z24
ddd
D
E
e
b
SE
FD
FE
E1
e
SD
D1
BALL "B1"
Table 6.
TFBGA107 10.5x13mm - 10x14 active ball array, 0.80mm pitch, Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.20
0.047
A1
0.25
0.010
A2
0.80
0.031
b
0.45
0.40
0.50
0.018
0.016
0.020
D
10.50
10.40
10.60
0.413
0.409
0.417
D1
7.20
0.283
ddd
0.10
0.004
E
13.00
12.90
13.10
0.512
0.508
0.516
E1
10.40
0.409
e0.80–
–
0.031
–
FD
1.65
0.065
FE
1.30
0.051
SD
0.40
0.016
SE
0.40
0.016
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PDF描述
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