參數(shù)資料
型號： NAND512R3M0BZBE
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 存儲器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107
封裝： 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-107
文件頁數(shù)： 12/22頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： NAND512R3M0BZBE
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
2/22
Table 1.
Product List
Reference
Part Number
NAND Product
LPSDRAM Product
Package
NAND256-M
NAND256R3M0
256 Mbit (x8), 1.8V
256 Mbit SDR, (x16), 1.8V, 104MHz
TFBGA107
NAND256R4M3
256Mbit (x16) 1.8V
256 Mbit DDR (x16) 1.8V, 133MHz
TFBGA149
NAND256W3M4
256Mbit (x16) 3V
256 Mbit SDR (x16), 1.8V, 104MHz
TFBGA149
NAND512-M
NAND512R3M0
512 Mbit (x8), 1.8V
256 Mbit SDR (x16), 1.8V, 104MHz
TFBGA107
NAND512R4M3
256 Mbit DDR (x16) 1.8V, 133MHz
TFBGA149
NAND512R4M5
512 Mbit DDR (x16) 1.8V, 133MHz
TFBGA149
NAND512W3M2
512Mbit (x8) 3V
512Mbit SDR (2x16) (2x256Mbit
SDR x16) 1.8V,104Mhz
LFBGA 137
NAND01G-M
NAND01GW3M2
2 x 512Mbit NAND (x8) 3V
512 Mbit SDR (2x16) (2 x 256Mbit
SDR x16) 1.8V, 104MHz
LFBGA137
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512W3A2SN6E 64M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO48
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NANDB9R4N2BZBA5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149
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參數(shù)描述
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NAND512R4A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512W3A0AN6 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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