參數(shù)資料
型號(hào)： NAND512R3M0BZBE
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107
封裝： 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-107
文件頁數(shù)： 3/22頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： NAND512R3M0BZBE
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
Summary description
11/22
Figure 3.
Logic Diagram: NAND Flash & DDR LPSDRAM
Ai11023b
13
A0-A12
DQ0-DQ15
K
KE
WD
VDDQD
ED
CAS
DQM1
DQM0
VDDF
WF
I/O0-I/O15
VDDD
NAND256-M
NAND512-M
NAND01G-M
EF
VSSD
WP
AL
CL
RB
R
RAS
2
BA0-BA1
K
UDQS-LDQS
16
VSSQD
VSSF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512W3A2SN6E 64M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO48
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NANDB9R4N2BZBA5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149
NANDBAR4N1BZBC5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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NAND512R4A2CZA6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:512MB. 3V X8 NO OPTION TSOP48TSOP-1 48 12X20 AL 42 - Trays
NAND512R4A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512W3A0AN6 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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