參數(shù)資料
型號： NAND512R3M0BZBE
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 存儲器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107
封裝： 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-107
文件頁數(shù)： 5/22頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： NAND512R3M0BZBE
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
Summary description
13/22
Figure 4.
TFBGA107 Connections (Top view through package)
AI10143b
VDDD
A8
DQM1
VSSD
KE
A12
DQM0
H
A9
D
R
C
DQ4
A1
B
A3
A
8
7
6
5
4
3
2
1
VSSD
VDDQD
G
F
E
VDDQD
DU
WP
A0
BA0
DQ6
VSSQD
CAS
A11
NC
WF
BA1
A10
DU
VDDD
VSSD
9
NC
A2
ED
M
L
K
J
DU
DQ15
NC
DQ11
I/O6
VDDQD
VSSQD
NC
DQ9
I/O5
DQ13
VDDD
VSSF
VDDF
A7
I/O4
I/O7
A5
DU
VSSQD
A4
DU
P
N
10
NC
RB
DQ2
NC
EF
I/O3
VDDF
I/O2
NC
CL
AL
DQ0
VSSF
I/O1
VSSF
I/O0
K
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
VDDD
DQ10
DQ12
DQ14
VSSD
DQ8
DU
A6
WD
NC
RAS
VDDF
NC
I/O9
I/O11
I/O13
I/O15
I/O8
I/O10
I/O12
I/O14
DU
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512W3A2SN6E 64M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO48
NAND99R3M2AZBB5E SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107
NAND99W3M1AZBC5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137
NANDB9R4N2BZBA5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149
NANDBAR4N1BZBC5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137
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參數(shù)描述
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NAND512W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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