參數(shù)資料
型號： NAND512R3M0BZBE
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 存儲器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107
封裝： 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-107
文件頁數(shù)： 7/22頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： NAND512R3M0BZBE
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
Summary description
15/22
Figure 6.
LFBGA137 Connections (Top view through package)
AI10134c
VDDQD
NC
DQ20
NC
VSSQD
K
DQ9
DQ15
H
NC
D
R
C
A7
DQ30
B
NC
VDDD
A
8
7
6
5
4
3
2
1
A4
VSSD
VDDD
A5
G
F
E
A11
DU
WP
DQ31
DQ29
KE
A6
A8
DQ26
DQM3
DQM2
DQ23
VSSQD
VSSD
WF
DQ28
VSSQD
DU
CAS
NC
RAS
9
NC
VDDQD
A12
VDDD
M
L
K
J
VSSD
I/O2
VDDQD
VDDD
I/O4
NC
BA0
A3
DQ4
VSSD
DQM0
BA1
WD
A1
A2
I/O1
A10
DQ6
DQ3
NC
VDDD
VSSD
I/O7
NC
VSSQD
NC
DQ5
VDDQD
DU
NC
ED
VSSQD
I/O0
DU
R
P
N
10
DQ12
DQM1
RB
DQ27
DQ22
DQ24
EF
VSSF
DQ8
DQ2
I/O5
I/O6
DQ10
DQ13
NC
VSSF
DQ25
NC
DQ19
VDDF
NC
DQ7
DQ1
I/O3
VDDF
DQ11
DQ21
DQ16
AL
A9
DQ18
DQ17
CL
NC
A0
DQ0
NC
DQ14
VSSQD
VDDQD
VDDD
NC
VDDQD
DU
VSSQD
VDDQD
VSSQD
VDDQD
NC
DU
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512W3A2SN6E 64M X 8 FLASH 3V PROM, PDSO48
NAND99R3M2AZBB5E SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107
NAND99W3M1AZBC5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137
NANDB9R4N2BZBA5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA149
NANDBAR4N1BZBC5F SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA137
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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NAND512W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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