參數(shù)資料
型號： NAND512R3M0BZBE
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 存儲器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107
封裝： 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-107
文件頁數(shù)： 4/22頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： NAND512R3M0BZBE
Summary description
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
12/22
Table 4.
Signal Names - NAND Flash & DDR LPSDRAM
NAND Flash
I/O0-I/O15
Data Inputs/Outputs
AL
Address Latch Enable
CL
Command Latch Enable
EF
Chip Enable
R
Read Enable
RB
Ready/Busy (open-drain output)
WF
Write Enable
WP
Write Protect
VDDF
Supply Voltage
VSSF
Ground
DDR LPSDRAM
A0-A12
Address Inputs
A10 determines the Precharge mode.
BA0-BA1
Bank Select Inputs
DQ0-DQ15
Data Inputs/Outputs
UDQS-LDQS
Data Strobe Inputs/Outputs
K
Clock Input
K
Clock Input
KE
Clock Enable Input
ED
Chip Select inputs
WD
Write Enable Input
RAS
Row Address Strobe Input
CAS
Column Address Strobe Input
DQM0
DQ Mask Enable Input (controls DQ0-DQ7)
DQM1
DQ Mask Enable Input (controls DQ8-DQ15)
VDDD
Supply Voltage
VDDQD
Input/Output Supply Voltage
VSSD
Ground
VSSQD
Input/Output Ground
NC
Not Connected Internally
DU
Do Not Use
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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