參數(shù)資料
型號： NAND512R3M0BZBE
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 存儲器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA107
封裝： 10.50 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-107
文件頁數(shù)： 2/22頁
文件大?。?/td> 200K
代理商： NAND512R3M0BZBE
Summary description
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
Table 3.
Signal Names: NAND Flash & 2 x SDR LPSDRAMs
NAND Flash
I/O0-I/O7
Data Inputs/Outputs
AL
Address Latch Enable
CL
Command Latch Enable
EF
Chip Enable
R
Read Enable
RB
Ready/Busy (open-drain output)
WF
Write Enable
WP
Write Protect
VDDF
Supply Voltage
VSSF
Ground
SDR LPSDRAM
A0-A12
Row Address: RA0-RA11
Column Address: CA0-CA8
Auto-precharge flag: A10
BA0-BA1
Bank Address
DQ0-DQ15
Data Inputs/Outputs for x16 devices SDR0
DQ16-DQ31
Data Inputs/Outputs for x16 devices SDR1
K
Clock Input
KE
Clock Enable Input
E0D
Chip Select input for SDR0
E1D
Chip Select input for SDR1
WD
Write Enable Input
RAS
Row Address Strobe Input
CAS
Column Address Strobe Input
DQM0
Lower DQ Mask Enable Output for SDR0
DQM1
Upper DQ Mask Enable Output for SDR0
DQM2
Lower DQ Mask Enable Output for SDR1
DQM3
Upper DQ Mask Enable Output for SDR1
VDDD
Supply Voltage
VDDQD
Input/Output Supply Voltage
VSSD
Ground
VSSQD
Input/Output Ground
NC
Not Connected Internally
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PDF描述
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