參數(shù)資料
型號(hào)： NAND02GW4B2AN1T
廠商： NUMONYX
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： 128M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
文件頁(yè)數(shù)： 57/57頁(yè)
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代理商： NAND02GW4B2AN1T
9/57
NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 3. Logic Diagram
Note: x16 organization only available for MCP
Table 3. Signal Names
AI09372b
W
I/O8-I/O15, x16
VDD
NAND Flash
E
VSS
WP
AL
CL
RB
R
I/O0-I/O7, x8/x16
PRL
I/O8-15
Data Input/Outputs for x16 devices
I/O0-7
Data Input/Outputs, Address Inputs,
or Command Inputs for x8 and x16
devices
AL
Address Latch Enable
CL
Command Latch Enable
E
Chip Enable
R
Read Enable
RB
Ready/Busy (open-drain output)
W
Write Enable
WP
Write Protect
PRL
Power-Up Read Enable, Lock/Unlock
Enable
VDD
Supply Voltage
VSS
Ground
NC
Not Connected Internally
DU
Do Not Use
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND04GR4B2CN1F 256M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND08GW3B2CZL1F 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52
NAND128W3A2BV6E 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48
NAND512R3A2CV6E 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48
NAND128W4A2CZA6E 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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NAND04GR3B2DN6E 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類(lèi)型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):497-5040
NAND04GR3B2DZL6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
NAND04GR3B2EN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
NAND04GR3B2EN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
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