參數(shù)資料
型號(hào)： NAND02GW4B2AN1T
廠商： NUMONYX
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： 128M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
文件頁(yè)數(shù)： 51/57頁(yè)
文件大小： 887K
代理商： NAND02GW4B2AN1T
55/57
NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
PART NUMBERING
Table 29. Ordering Information Scheme
Devices are shipped from the factory with the memory content bits, in valid blocks, erased to ’1’. For further
information on any aspect of this device, please contact your nearest ST Sales Office.
Example:
NAND02GR3B
2
A ZA
1
T
Device Type
NAND Flash Memory
Density
01G = 1Gb
02G = 2Gb
04G = 4Gb
08G = 8Gb
Operating Voltage
R = VDD = 1.7 to 1.95V
W = VDD = 2.7 to 3.6V
Bus Width
3 = x8
4 = x16
Family Identifier
B = 2112 Bytes/ 1056 Word Page
Device Options
2 = Chip Enable Don't Care Enabled
Product Version
A = First Version
B= Second Version
C= Third Version
Package
N = TSOP48 12 x 20mm (all devices)
ZA = VFBGA63 9.5 x 12 x 1mm, 0.8mm pitch (1Gb devices)
ZB = TFBGA63 9.5 x 12 x 1.2mm, 0.8mm pitch (2Gb Dual Die devices)
Temperature Range
1 = 0 to 70 °C
6 = –40 to 85 °C
Option
blank = Standard Packing
T = Tape & Reel Packing
E = Lead Free Package, Standard Packing
F = Lead Free Package, Tape & Reel Packing
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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NAND128W3A2BV6E 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48
NAND512R3A2CV6E 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48
NAND128W4A2CZA6E 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
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NAND04GR3B2EN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
NAND04GR3B2EN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
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