參數(shù)資料
型號： NAND02GW4B2AN1T
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 35/57頁
文件大?。?/td> 887K
代理商： NAND02GW4B2AN1T
NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
40/57
Note: 1. leakage current and standby current double in stacked devices
Figure 23. Equivalent Testing Circuit for AC Characteristics Measurement
VIL
Input Low Voltage
-
-0.3
-
0.4
V
VOH
Output High Voltage Level
IOH = -100A
VDD-0.1
-
V
VOL
Output Low Voltage Level
IOL = 100A
-
0.1
V
IOL (RB)
Output Low Current (RB)
VOL = 0.1V
3
4
mA
VLKO
VDD Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
-
1.1
V
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Ai11085
NAND Flash
CL
2Rref
VDD
2Rref
GND
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PDF描述
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