參數(shù)資料
型號： NAND02GW4B2AN1T
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 25/57頁
文件大?。?/td> 887K
代理商： NAND02GW4B2AN1T
31/57
NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Table 15. Electronic Signature Byte/Word 4
Note: 1. VDDth is equal to 2.5V for 3V Power Supply devices and to 1.5V for 1.8V Power Supply devices.
I/O
Definition
Value
Description
I/O1-I/O0
Page Size
(Without Spare Area)
0 0
0 1
1 0
1 1
1K
2K
Reserved
I/O2
Spare Area Size
(Byte / 512 Byte)
0
1
8
16
I/O3
Sequential Access Time
0
1
Standard (50 ns)
Fast
(30 ns)
I/O5-I/O4
Block Size
(Without Spare Area)
0 0
0 1
1 0
1 1
64K
128K
256K
Reserved
I/O6
Organization
0
1
X8
X16
I/O7
Not Used
Reserved
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND04GR4B2CN1F 256M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND08GW3B2CZL1F 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52
NAND128W3A2BV6E 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48
NAND512R3A2CV6E 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48
NAND128W4A2CZA6E 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND04GR3B2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND04GR3B2DN6E 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
NAND04GR3B2DZL6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
NAND04GR3B2EN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
NAND04GR3B2EN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
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