參數(shù)資料
型號： NAND02GW4B2AN1T
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 128M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 24/57頁
文件大?。?/td> 887K
代理商： NAND02GW4B2AN1T
NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
30/57
Read Electronic Signature
The device contains a Manufacturer Code and De-
vice Code. To read these codes three steps are re-
quired:
1.
one Bus Write cycle to issue the Read
Electronic Signature command (90h)
2.
one Bus Write cycle to input the address (00h)
3.
four Bus Read Cycles to sequentially output
the data (as shown in Table 14., Electronic
Table 14. Electronic Signature
Part Number
Byte/Word 1
Byte/Word 2
Byte/Word 3
Byte/Word 4
Manufacturer Code
Device code
NAND01GR3B
20h
A1h
Reserved
80h
Page Size
Spare Area size
Sequential Access Time
Block Size
Organization
NAND01GW3B
F1h
NAND01GR4B
0020h
B1h
NAND01GW4B
C1h
NAND02GR3B
20h
AAh
NAND02GW3B
DAh
NAND02GR4B
0020h
BAh
NAND02GW4B
CAh
NAND04GR3B
20h
ACh
NAND04GW3B
DCh
NAND04GR4B
0020h
BCh
NAND04GW4B
CCh
NAND08GR3B
20h
A3h
NAND08GW3B
D3h
NAND08GR4B
0020h
B3h
NAND08GW4B
C3h
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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NAND128W4A2CZA6E 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
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