參數(shù)資料
型號： MT28F640J3
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 64Mb Flash Memory(64Mb閃速存儲器)
中文描述： 64MB Flash記憶體（64兆閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 7/45頁
文件大?。?/td> 317K
代理商： MT28F640J3
7
64Mb, 32Mb SirusFlash Memory
MT28F640J3_2.p65 – Rev. 1, Pub. 12/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb, 32Mb
SIRUSFLASH MEMORY
PRELIMINARY
Table 2
Bus Operations
CE0, CE1,
CE2
1
Enabled
Enabled
Disabled
X
STS DEFAULT
MODE
High-Z
4
X
X
High-Z
4
MODE
Read Array
Output Disable
Standby
Reset/Power-Down
Mode
Read Identifier Codes
RP#
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
OE#
2
V
IL
V
IH
X
X
WE#
2
V
IH
V
IH
X
X
A DDRESS
X
X
X
X
V
PEN
X
X
X
X
D Q
3
D
OUT
High-Z
High-Z
High-Z
NOTES
5, 6, 7
V
IH
Enabled
V
IL
V
IH
See
X
Note 8
High-Z
4
Figure 2
See
Table 6
X
X
Read Query
V
IH
Enabled
V
IL
V
IH
X
Note 9
High-Z
4
Read Status (ISM off)
Read Status (ISM on)
DQ7
DQ15–DQ8
DQ6–DQ0
Write
V
IH
V
IH
Enabled
Enabled
V
IL
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
D
OUT
D
OUT
High-Z
High-Z
D
IN
V
IH
Enabled
V
IH
V
IL
X
V
PENH
X
7, 10, 11
NOTE:
1. See Table 1 for valid CE configurations.
2. OE# and WE# should never be enabled simultaneously.
3. DQ refers to DQ0–DQ7 if BYTE# is LOW and DQ0–DQ15 if BYTE# is HIGH.
4. High-Z is V
OH
with an external pull-up resistor.
5. Refer to DC Characteristics. When V
PEN
≤
V
PENLK
, memory contents can be read, but not altered.
6. X can be V
IL
or V
IH
for control and address pins, and V
PENLK
or V
PENH
for V
PEN
. See DC Characteristics for V
PENLK
and
V
PENH
voltages.
7. In default mode, STS is V
OL
when the ISM is executing internal block erase, program, or lock bit configuration
algorithms. It is V
OH
when the ISM is not busy, in block erase suspend mode (with programming inactive), program
suspend mode, or reset/power-down mode.
8. See Read Identifier Codes section for read identifier code data.
9. See Read Query Mode Command section for read query data.
10. Command writes involving block erase, program, or lock bit configuration are reliably executed when V
PEN
= V
PENH
and
V
CC
is within specification.
11. Refer to Table 3 for valid D
IN
during a WRITE operation.
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