參數(shù)資料
型號(hào)： MT28F640J3
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 64Mb Flash Memory(64Mb閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 64MB Flash記憶體（64兆閃速存儲(chǔ)器）
文件頁數(shù)： 26/45頁
文件大?。?/td> 317K
代理商： MT28F640J3
26
64Mb, 32Mb SirusFlash Memory
MT28F640J3_2.p65 – Rev. 1, Pub. 12/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb, 32Mb
SIRUSFLASH MEMORY
PRELIMINARY
1
0
1
0
1
0
1
0
Full Status
Check if Desired
SR7 =
Start
Byte/Word
Program Successful
Device Protect Error
Voltage Range Error
Programming Error
FULL STATUS CHECK PROCEDURE
Read Status
Register
SR3 =
Byte/Word
Program Complete
Read Status Register
Data (see above)
SR1 =
SR4 =
Write 40h,
Address
Write Data and
Address
Figure 5
Byte/Word Program Flow chart
BUS
OPERATION
WRITE
COMMAND
SETUP BYTE/ Data = 40h
WORD
PROGRAM
BYTE/
WORD
PROGRAM
COMMENTS
Addr = Location to be
Programmed
Data = Data to be
Programmed
Addr = Location to be
Programmed
Status Register Data
Check SR7
1 = ISM Ready
0 = ISM Busy
WRITE
READ
STANDBY
Toggling OE# (LOW to HIGH to LOW) updates the status
register. This can be done in place of issuing the READ
STATUS REGISTER command. Repeat for subsequent
programming operations.
After each program operation or after a sequence of
programming operations, an SR full status check can be
done.
Write FFh after the last program operation to place the
device in read array mode.
BUS
OPERATION
STANDBY
COMMAND
COMMENTS
Check SR3
1 = Programming to
Voltage Error Detect
Check SR1
1 = Device Protect Detect
RP# = V
IH
, Block Lock Bit is
Set
Only required for systems
implemeting lock bit
configuration
Check SR4
1 = Programming Error
STANDBY
STANDBY
Toggling OE# (LOW to HIGH to LOW) updates the status
register. This can be done in place of issuing the READ
STATUS REGISTER command. Repeat for subsequent
programming operations.
SR4, SR3, and SR1 are only cleared by the CLEAR STATUS
REGISTER command in cases where multiple locations are
programmed before full status is checked.
If an error is detected, clear the status register before
attempting retry or other error recovery.
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PDF描述
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MT28F640J3BS-115 ET TR 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤
MT28F640J3BS-115 GMET 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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