參數(shù)資料
型號(hào)： MT28F640J3
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 64Mb Flash Memory(64Mb閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 64MB Flash記憶體（64兆閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 42/45頁(yè)
文件大?。?/td> 317K
代理商： MT28F640J3
42
64Mb, 32Mb SirusFlash Memory
MT28F640J3_2.p65 – Rev. 1, Pub. 12/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb, 32Mb
SIRUSFLASH MEMORY
PRELIMINARY
BLOCK ERASE, PROGRAM, AND LOCK BIT CONFIGURATION PERFORMANCE
(Notes: 1, 2, 3); Expanded Temperature (-20oC
≤
T
A
≤
+85oC)
CHARACTERISTICS
PARAMETER
Write Buffer Byte Program Time
(Time to Program 32 bytes/16 words)
Byte/Word Program Time (Using WORD/BYTE PROGRAM Command)
Block Program Time (Using WRITE-to-BUFFER Command)
Block Erase Time
Set Lock Bits Time
Clear Block Lock Bits Time
Program Suspend Latency Time to Read
Erase Suspend Latency Time to Read
-10/-12
TYP
218
SYMBOL
t
WED1
MAX
8
654
UNITS
μs
NOTES
4, 5, 6, 7
t
WED2
t
WED3
t
WED4
t
WED5
t
WED6
t
LPS
t
LES
210
0.8
1.2
64
0.5
25
26
630
1.7
5.0
75
0.70
30
35
μs
sec
sec
μs
sec
μs
μs
4
4
4
4
5
NOTE:
1. Typical values measured at T
A
= +25oC and nominal voltages. Assumes corresponding lock bits are not set. Subject to
change based on device characterization.
2. These performance numbers are valid for all speed versions.
3. Sampled, but not 100% tested.
4. Excludes system-level overhead.
5. These values are valid when the buffer is full, and the start address is aligned on a 32-byte boundary.
6. Effective per-byte program time is 6.8μs/byte (typical).
7. Effective per-word program time is 13.6μs/word (typical).
8. MAX values are measured at worst-case temperature and V
CC
corner after 100,000 cycles.
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MT28F640J3BS-115 ET TR 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:378 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:FLASH 存儲(chǔ)容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤(pán)
MT28F640J3BS-115 GMET 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SDRAM 存儲(chǔ)容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:Q2841869
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