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參數(shù)資料
| 型號： | MT28F640J3 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 64Mb Flash Memory(64Mb閃速存儲器) |
| 中文描述： | 64MB Flash記憶體（64兆閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 30/45頁 |
| 文件大小： | 317K |
| 代理商： | MT28F640J3 |
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30
64Mb, 32Mb SirusFlash Memory
MT28F640J3_2.p65 – Rev. 1, Pub. 12/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb, 32Mb
SIRUSFLASH MEMORY
PRELIMINARY
Figure 9
SET BLOCK LOCK BITS Flow chart
1
0
1
0
1
0
1
0
Full Status
Check if Desired
SR7 =
Start
SET BLOCK LOCK BITS
Successful
Command Sequence
Error
Voltage Range Error
SET BLOCK LOCK BITS
Error
FULL STATUS CHECK PROCEDURE
Read Status
Register
SR3 =
SET BLOCK LOCK BITs
Complete
Read Status Register
Data (see above)
SR4,5 =
SR4 =
Write 60h,
Block Address
Write 01h/F1h,
Block Address
BUS
OPERATION
WRITE
COMMAND
SET BLOCK
LOCK BITS
SETUP
SET BLOCK
LOCK BITS
CONFIRM
COMMENTS
Data = 60h
Addr = Block Address
WRITE
Data = 01h
Addr = Block Address
READ
STANDBY
Status Register Data
Check SR7
1 = ISM Ready
0 = ISM Busy
Repeat for subsequent lock bit operations.
Full status check can be done after each lock bit set
operation or after a sequence of lock bit set operations
Write FFh after the last lock bit set operation to place
device in read array mode.
BUS
OPERATION
STANDBY
COMMAND
COMMENTS
Check SR3
1 = Programming Voltage
Error Detect
Check SR4, SR5
Both 1 = Command
Sequence Error
Check SR4
1 = Set Block Lock Bits
Error
STANDBY
STANDBY
SR5, SR4, and SR3 are only cleared by the CLEAR STATUS
REGISTER command in cases where multiple lock bits are set
before full status is checked.
If an error is detected, clear the status register before
attempting retry or other error recovery.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT35212A | BELL 212A/CCITT V.22 Modem Filter |
| MT35212AE | BELL 212A/CCITT V.22 Modem Filter |
| MT35212AP | BELL 212A/CCITT V.22 Modem Filter |
| MT46V32M16TG-8L | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| MT46V64M8TG-75 | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MT28F640J3BS-115 ET TR | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| MT28F640J3BS-115 GMET | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
| MT28F640J3BS-115 GMET TR | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
| MT28F640J3BS-115 MET | 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869 |
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