參數(shù)資料
型號： MT28F640J3
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 64Mb Flash Memory(64Mb閃速存儲器)
中文描述： 64MB Flash記憶體（64兆閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 37/45頁
文件大小： 317K
代理商： MT28F640J3
37
64Mb, 32Mb SirusFlash Memory
MT28F640J3_2.p65 – Rev. 1, Pub. 12/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb, 32Mb
SIRUSFLASH MEMORY
PRELIMINARY
RECOMMENDED DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued)
Expanded Temperature (-25oC
≤
T
A
≤
+85oC)
DESCRIPTION
CONDITIONS
SY MBOL
TY P
MA X
UNITS NOTES
V
CC
Program or Set
Lock Bits Current
CMOS inputs, V
PEN
= V
CC
TTL inputs, V
PEN
= V
CC
CMOS inputs, V
PEN
= V
CC
TTL inputs, V
PEN
= V
CC
Device is disabled
I
CC
5
35
40
35
40
60
70
70
80
10
mA
mA
mA
mA
mA
1, 4
V
CC
Block Erase or Clear
Block Lock Bits Current
I
CC
6
1, 4
V
CC
Program Suspend or
Block Erase Suspend
Current
I
CC
7
1
V
PEN
Lockout during
Program, Erase and
Lock Bit Operations
V
PEN
during Block Erase,
Program, or Lock Bit
Operations
V
CC
Lockout Voltage
V
PENLK
0.8
V
5, 6, 7
V
PENH
2.7
3.6
V
6, 7
V
LKO
2.0
V
8
NOTE:
1. All currents are in RMS unless otherwise noted. These currents are valid for all product versions (packages and speeds).
2. Includes STS.
3. CMOS inputs are either V
CC
±0.2V or GND ±0.2V. TTL inputs are either V
IL
or V
IH
.
4. Sampled, not 100% tested.
5. I
CCWS
and I
CCES
are specified with the device deselected. If the device is read or written while in erase suspend mode,
the device’s current draw is I
CCR
or I
CCW
.
6. Block erases, programming, and lock bit configurations are inhibited when V
PEN
≤
V
PENLK
, and not guaranteed in the
range between V
PENLK
(MAX) and V
PENH
(MIN), and above V
PENH
(MAX).
7. Typically, V
PEN
is connected to V
CC
(2.7V–3.6V).
8. Block erases, programming, and lock bit configurations are inhibited when V
CC
< V
LKO
, and not guaranteed in the range
between V
LKO
(MIN) and V
CC
(MIN), and above V
CC
(MAX).
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MT28F640J3BS-115 GMET 功能描述:IC FLASH 64MBIT 115NS 64FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:90-VFBGA（8x13） 包裝:托盤 其它名稱:Q2841869
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