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參數(shù)資料
| 型號： | MT28F640J3 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | 64Mb Flash Memory(64Mb閃速存儲器) |
| 中文描述： | 64MB Flash記憶體（64兆閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 41/45頁 |
| 文件大?。?/td> | 317K |
| 代理商： | MT28F640J3 |
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41
64Mb, 32Mb SirusFlash Memory
MT28F640J3_2.p65 – Rev. 1, Pub. 12/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
64Mb, 32Mb
SIRUSFLASH MEMORY
PRELIMINARY
NOTE:
1. CEx LOW is defined as the first edge of CE0, CE1, or CE2 that enables the device. CEx HIGH is defined as the first edge
of CE0, CE1, or CE2 that disables the device.
2. Read timing characteristics during BLOCK ERASE, PROGRAM, and LOCK BIT CONFIGURATION operations are the same as
during READ-only operations. Refer to AC Characteristics – Read-Only Operations.
3. A WRITE operation can be initiated and terminated with either CEX or WE#.
4. Sampled, not 100% tested.
5. Write pulse width (
t
WP) is defined from CEx or WE# going LOW (whichever goes LOW first) to CEx or WE# going HIGH
(whichever goes HIGH first).
6. Refer to Table 3 for valid A
IN
and D
IN
for block erase, program, or lock bit configuration.
7. Write pulse width HIGH (
t
WPH) is defined from CEx or WE# going HIGH (whichever goes HIGH first) to CEx or WE# going
LOW (whichever goes LOW first).
8. For array access,
t
AA is required in addition to
t
WR for any accesses after a WRITE.
9. STS timings are based on STS configured in its RY/BY# default mode.
10. V
PEN
should be held at V
PENH
until determination of block erase, program, or lock bit configuration success (SR1/3/4/5 =
0).
AC CHARACTERISTICS – WRITE OPERATIONS
(Notes: 1, 2, 3); Expanded Temperature (-25oC
≤
T
A
≤
+85oC)
AC CHARACTERISTICS
PARAMETER
RP# High Recovery to WE# (CEx) Going LOW
CEx (WE#) LOW to WE# (CEx) Going LOW
Write Pulse Width
Data Setup to WE# (CEx) Going HIGH
Address Setup to WE# (CEx) Going HIGH
CEx (WE#) Hold from WE# (CEx) HIGH
Data Hold from WE# (CEx) HIGH
Address Hold from WE# (CEx) HIGH
Write Pulse Width HIGH
V
PEN
Setup to WE# (CEx) Going HIGH
Write Recovery Before Read
WE# (CEx) HIGH to STS Going LOW
V
PEN
Hold from Valid SRD, STS Going HIGH
WE# (CEx) HIGH to Status Register Busy
-10/-12
SYMBOL
t
RS
t
CS
t
WP
t
DS
t
AS
t
CH
t
DH
t
AH
t
WPH
t
VPS
t
WR
t
STS
t
VPH
t
WB
MIN
1
0
70
50
55
10
0
0
30
0
35
MAX
UNITS
μs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTES
4
5
5
6
6
7
4
8
9
90
0
4, 9, 10
4
90
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