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參數(shù)資料
| 型號： | MCIMX507CVM8B |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA400 |
| 封裝： | 17 X 17 MM, 0.5 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MABGA-400 |
| 文件頁數(shù)： | 35/120頁 |
| 文件大?。?/td> | 1980K |
| 代理商： | MCIMX507CVM8B |
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Electrical Characteristics
i.MX50 Applications Processors for Consumer Products, Rev. 0
Freescale Semiconductor
21
4.1.3
Operating Ranges
Table 9 provides the operating ranges of the i.MX50 processor.
1 Rjc-x per JEDEC 51-12: The junction-to-case thermal resistance. The x indicates the case surface where T
case is measured
and through which 100% of the junction power is forced to flow due to the cold plate heat sink fixture placed either at the top (T)
or bottom (B) of the package, with no board attached to the package.
Table 9. i.MX50 Operating Ranges
Symbol
Parameter
Minimum1
Nominal2
Maximum1
Unit
VDDGP
ARM core supply voltage
400
< f
ARM ≤ 800 MHz
0.95
1.05
1.15
V
ARM core supply voltage
167
< f
ARM ≤ 400 MHz
0.85
0.95
1.15
V
ARM core supply voltage
24
≤ f
ARM ≤ 167 MHz
0.8
0.9
1.15
V
ARM core supply voltage
Stop mode
0.75
0.85
1.15
V
VCC
Peripheral supply voltage low performance
mode (LPM). The DDR clock rate is 24 MHz.
0.9
0.95
1.275
V
Peripheral supply voltage reduced performance
mode (RPM). The DDR clock rate is 100 MHz.
11.05
1.275
V
Peripheral supply voltage high performance
mode (HPM). The clock frequencies are derived
from AHB bus using 133 MHz and AXI bus
using 266 MHz (as needed). The DDR clock
rate is 200 MHz.
1.175
1.225
1.275
V
VDDA/VDDAL1
Memory arrays voltage—Run mode
1.15
1.20
1.275
V
Memory arrays voltage—Stop mode
0.93
0.95
1.275
V
VDD3P0
Bandgap and 480 MHz PLL supply
2.7
3.0
3.3
V
VDD2P5
Efuse, 24 MHz oscillator, 32 kHz oscillator mux
supply
2.375
2.5
2.625
V
VDD1P2
PLL digital supplies
1.15
1.2
1.32
V
VDD1P8
PLL analog supplies
1.75
1.8
1.95
V
NVCC_JTAG
GPIO digital power supplies
1.65
1.875 or
2.775
3.1
V
NVCC_EMI_DRAM
DDR supply DDR2/LPDDR1 range
1.71
1.8
1.95
V
DDR supply LPDDR2 range
1.14
1.2
1.3
V
VREF
DRAM Reference Voltage Input
1/2
NVCC_E
MI_DRAM
VDDO25
EMI Pad Predriver supply
2.375
2.5
2.625
V
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