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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M58WR064HU70ZB6U |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44 |
| 封裝： | 7.70 X 9 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-44 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 76/117頁(yè) |
| 文件大小： | 2300K |
| 代理商： | M58WR064HU70ZB6U |
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M58WR064HU M58WR064HL
DC and AC parameters
61/117
Table 20.
DC Characteristics - Currents
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
ILI
Input Leakage Current
0V
≤ VIN ≤ VDDQ
±1
μA
ILO
Output Leakage Current
0V
≤ VOUT ≤ VDDQ
±1
μA
IDD1
Supply Current
Asynchronous Read (f=6MHz)
E = VIL, G = VIH
10
20
mA
Supply Current
Synchronous Read (f=66MHz)
4 Word
18
20
mA
8 Word
20
22
mA
16 Word
25
27
mA
Continuous
28
30
mA
IDD2
Supply Current
(Reset/Power-Down)
RP = VSS ± 0.2V
2
10
μA
IDD3
Supply Current (Standby)
K=VSS
E = VDDQ ± 0.2V
22
50
μA
IDD4
Supply Current (Automatic
Standby)
E = VIL, G = VIH
22
50
μA
IDD5(1)
1. Sampled only, not 100% tested.
Supply Current (Program)
VPP = VPPH
815
mA
VPP = VDD
10
20
mA
Supply Current (Erase)
VPP = VPPH
815
mA
VPP = VDD
10
20
mA
IDD6(1)(2)
2. VDD Dual Operation current is the sum of read and program or erase currents.
Supply Current
(Dual Operations)
Program/Erase in one
Bank, Asynchronous
Read in another Bank
20
40
mA
Program/Erase in one
Bank, Synchronous Read
(continuous burst 66MHz)
in another Bank
38
50
mA
IDD7(1)
Supply Current Program/
Erase Suspended (Standby)
K=VSS
E = VDDQ ± 0.2V
22
50
μA
IPP1(1)
VPP Supply Current (Program)
VPP = VPPH
510
mA
VPP = VDD
0.2
5
μA
VPP Supply Current (Erase)
VPP = VPPH
510
mA
VPP = VDD
0.2
5
μA
IPP2
VPP Supply Current (Read)
VPP = VPPH
100
400
μA
VPP ≤ VDD
0.2
5
μA
VPP ≤ VDD
0.2
5
μA
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